Infineon英飞凌BSM100GB120DN2HOSA1模块：MEDIUM POWER 62MM的参数及方案应用 随着科技的飞速发展，半导体技术在现代生活中发挥着越来越重要的作用。其中，Infineon英飞凌的BSM100GB120DN2HOSA1模块以其独特的性能和优势，成为众多应用场景中的理想选择。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用，帮助读者更好地了解其特点和优势。 首先，我们来了解一下BSM100GB120DN2HOSA1模块的基本参数。该模块采用MEDIUM POWER 62MM
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种应用场景中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的DFXR07P系列IGBT模块，以其优异的性能和广泛的应用领域，成为了市场上的明星产品。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号：DFXR07P 2. 电压范围：600V 3. 电流容量：7A 4. 开关频率：15KHz 5. 封装形式：TO-220 6. 安装方式：通孔安装 7. 工作温度：-40℃至+150℃ 8. 绝缘电压：1500V 二、方案应用 1. 电源转
Infineon英飞凌BSM100GB120DLCHOSA1模块BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP介绍及其应用方案 随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个过程中，半导体技术起着关键作用，而Infineon英飞凌的BSM100GB120DLCHOSA1模块BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP则是一种具有重要意义的半导体产品。本文将详细介绍这款产品的参数及方案应用。 一、产品概述 BSM100GB120
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种应用领域中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FS200R12KT4RPB51BPSA1模块，以其优良的参数和方案应用，成为了市场上的明星产品。本文将详细介绍该模块的参数以及在各种方案中的应用。 一、参数介绍 FS200R12KT4RPB51BPSA1模块是一款高性能的12N4M IGBT模块，采用英飞凌特有的X-MOS®系列IGBT专用芯片，具有高开关频率、高可靠性、低导通压降和短路电流等特点。其具体参数如下： * 电压：1200V，