Infineon英飞凌BSM200GB170DLCE3256HDLA1模块IGBT MODULE 1700V 400A 1660W参数及应用方案 一、简述产品 Infineon英飞凌的BSM200GB170DLCE3256HDLA1模块是一款高性能的IGBT MODULE，其额定电压为1700V，最大电流为400A，最大功率为1660W。这款模块广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、电机驱动、电源转换器等。 二、参数详解 1. 电压：该模块的额定电压为1700V，意味着它可以承受高达1700
Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块：MEDIUM POWER 62MM的参数及方案应用 一、简述产品 Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块是一款高性能的MEDIUM POWER 62MM封装形式的电源管理芯片。该芯片具有多种功能，包括稳压、充电、电源切换等，适用于各种电子设备中。其核心优势在于低功耗、高效率、高可靠性，以及易于使用。 二、技术参数 1. 工作电压：该芯片的工作电压范围为3.0V至5.5V。 2. 输入电流：芯片在正常工作状态下，输入
Infineon英飞凌BSM100GB120DN2S7HOSA1模块：INSULATEDGATE BIPOLAR TRANSISTORMarketing Information:Infineon英飞凌BSM100GB120DN2S7HOSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块，适用于各种工业应用领域，如电机驱动、变频器、电源转换等。该模块具有高输入阻抗、低导通压降、高开关频率等特点，可有效降低系统能耗，提高效率。此外，该模块还具有过温保护、过流保护等安全功能，确保系统运行安全
随着科技的发展，电子设备对能源的需求越来越高，因此，低功耗设计已成为电子工程师面临的重要问题。Infineon英飞凌的DF450R17N2E4PB11BDLA1模块，以其LOW POWER ECONO特性，为解决这一问题提供了有效的方案。 首先，让我们了解一下LOW POWER ECONO特性。LOW POWER ECONO是英飞凌为应对低功耗需求而设计的一种技术，它通过优化芯片的能耗效率，降低系统功耗，从而延长设备的使用时间。具体来说，它通过降低芯片的工作电压，减少信号传输的功耗，以及优化系
Infineon英飞凌BSM100GB120DN2KHOSA1模块：MEDIUM POWER 34MM的参数及方案应用 一、简述产品 Infineon英飞凌BSM100GB120DN2KHOSA1模块是一款MEDIUM POWER 34MM封装规格的存储芯片。这款芯片适用于各种需要大容量、高速度数据存储的电子设备，如数码相机、移动硬盘、路由器等。该芯片采用先进的存储技术，具有高速读写速度、低功耗、耐久性强等特点，是现代电子设备的理想选择。 二、技术参数 1. 存储容量：大容量，高达120GB。
随着科技的发展，电子设备对能源的需求越来越高，因此，低功耗设计已成为电子设备设计中的重要一环。Infineon英飞凌的F4100R06KL4BOSA1模块LOW POWER ECONO正是为此而生。该模块是一款适用于各种应用的高性能、低功耗微控制器，具有卓越的能源效率，为电子设备的设计和生产提供了新的可能性。 一、技术参数 F4100R06KL4BOSA1模块LOW POWER ECONO的主要技术参数如下： * 处理器：ARM Cortex-M4F，主频高达120MHz * 内存：16KB
Infineon英飞凌DDB6U104N18RRBOSA1模块LOW POWER ECONO：节能新选择，高效应用方案 随着科技的飞速发展，电子设备对能源的需求日益增长，节能降耗已成为各行各业共同关注的重要课题。在这个背景下，Infineon英飞凌推出了一款名为DDB6U104N18RRBOSA1的模块，以其LOW POWER ECONO特性，为各类应用提供了全新的节能解决方案。 DDB6U104N18RRBOSA1模块是一款适用于各种低功耗应用的高效解决方案。其LOW POWER ECONO
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种应用场景中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FP35R12W2T4PBPSA1模块，是一款高性能的IGBT模块，具有出色的性能参数和丰富的应用方案。 一、FP35R12W2T4PBPSA1模块参数 FP35R12W2T4PBPSA1模块是一款采用TO-247-3封装的IGBT模块，具有以下主要参数： * 芯片型号：IGBT FP35R12W2T4PB； * 额定功率：1200V，40A； * 最大漏源电压：1700V； * 封装尺寸：
一、概述 Infineon英飞凌FP25R12W2T4PBPSA1模块是一款高效、稳定的IGBT模块，采用先进的封装技术，具有高效率、低损耗、高可靠性等特点，适用于各种电源、电机控制和变频器等应用领域。 二、技术参数 1. 型号：FP25R12W2T4PBPSA1 2. 芯片类型：IGBT 3. 芯片规格：1200V，130A，300WM 4. 工作温度：-40℃至+150℃ 5. 安装方式：表面贴装 6. 封装：TO-220AB 7. 功率损耗：典型值低于55W 8. 反向电压：最高反向电压