国产芯片龙头发力，兆易创新LPDDR4X即将量产
2025-11-25国内Fabless半导体龙头 兆易创新（GigaDevice） 在2025年第三季度业绩说明会上释放重磅信号： 自研LPDDR4X内存产品将于明年实现量产 ，同时已启动小容量LPDDR5X的研发规划，存储业务布局再提速。不过公司明确表示，目前暂无DDR5产品的相关研发计划，将聚焦既定赛道深耕。 LPDDR系列内存作为移动终端、物联网设备的核心存储部件，市场需求持续旺盛。兆易创新此次明确LPDDR4X的量产时间表，意味着其在高端内存领域的自研能力已趋于成熟。据了解，LPDDR4X具备低功耗、高带
国产芯片龙头发力，兆易创新LPDDR4X即将量产
2025-11-25国内Fabless半导体龙头 兆易创新（GigaDevice） 在2025年第三季度业绩说明会上释放重磅信号： 自研LPDDR4X内存产品将于明年实现量产 ，同时已启动小容量LPDDR5X的研发规划，存储业务布局再提速。不过公司明确表示，目前暂无DDR5产品的相关研发计划，将聚焦既定赛道深耕。 LPDDR系列内存作为移动终端、物联网设备的核心存储部件，市场需求持续旺盛。兆易创新此次明确LPDDR4X的量产时间表，意味着其在高端内存领域的自研能力已趋于成熟。据了解，LPDDR4X具备低功耗、高带
国产芯片龙头发力，兆易创新LPDDR4X即将量产
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国产芯片龙头发力，兆易创新LPDDR4X即将量产
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标题：GD兆易创新GD32A503KCU3 Arm Cortex M33芯片的技术和方案应用介绍 GD兆易创新公司推出的GD32A503KCU3芯片是一款基于Arm Cortex M33核心的微控制器，该芯片凭借其强大的性能和卓越的能效表现，在众多应用领域中发挥着越来越重要的作用。 一、技术特点 GD32A503KCU3芯片采用先进的Arm Cortex M33内核，工作频率高达33MHz，具有高性能、低功耗的特点。该芯片内部集成高达64K的闪存和2K的SRAM，支持多种通信接口，包括UART
标题：GD兆易创新GD32A503CBT3 Arm Cortex M33芯片的技术和方案应用介绍 GD兆易创新公司推出的GD32A503CBT3芯片是一款基于Arm Cortex M33核心的微控制器，该芯片凭借其强大的性能和出色的功耗控制，在众多应用领域中发挥着越来越重要的作用。 一、技术特点 GD32A503CBT3芯片采用先进的Arm Cortex M33内核，主频高达120MHz，具有出色的数据处理能力和低功耗特性。该芯片集成多个定时器和通信接口，支持多种通信协议，方便开发者进行各种通
1.2V接口革命！兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
2025-11-212025年11月18日，北京——国产半导体龙头 兆易创新 （GigaDevice，股票代码603986）正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计，可直接对接1.2V低功耗SoC，无需额外电平转换器，一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点，为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作，GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
1.2V接口革命！兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
2025-11-212025年11月18日，北京——国产半导体龙头 兆易创新 （GigaDevice，股票代码603986）正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计，可直接对接1.2V低功耗SoC，无需额外电平转换器，一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点，为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作，GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
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2025-11-212025年11月18日，北京——国产半导体龙头 兆易创新 （GigaDevice，股票代码603986）正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计，可直接对接1.2V低功耗SoC，无需额外电平转换器，一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点，为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作，GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品